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三星電子落后于臺(tái)積電的三大原因如下：

在半導(dǎo)體微縮化方面，臺(tái)積電在全球處于領(lǐng)先地位。臺(tái)積電已經(jīng)成功量產(chǎn)了7納米和5納米芯片，并計(jì)劃在未來(lái)實(shí)現(xiàn)2納米芯片的量產(chǎn)。相比之下，三星電子的EUV技術(shù)不如臺(tái)積電成熟，良率也不及臺(tái)積電，導(dǎo)致三星電子在EUV批量生產(chǎn)方面遇到困難。

ASML是全球唯一一家能夠提供尖端光刻設(shè)備EUV光刻機(jī)的廠(chǎng)家。然而，ASML無(wú)法按照計(jì)劃為三星提供足夠的EUV設(shè)備。這導(dǎo)致三星電子無(wú)法充分利用EUV技術(shù)進(jìn)行半導(dǎo)體微縮化生產(chǎn)，進(jìn)一步拉大了與臺(tái)積電的差距。

要熟練使用新設(shè)備，需要花費(fèi)相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間。臺(tái)積電在使用EUV設(shè)備進(jìn)行量產(chǎn)之前做了大量準(zhǔn)備工作，投入了大量晶圓并處理了Bug問(wèn)題。相比之下，三星電子在使用EUV設(shè)備方面的準(zhǔn)備工作不足，導(dǎo)致其使用EUV設(shè)備的熟練程度不及臺(tái)積電。

技術(shù)差距、設(shè)備供給不足以及使用熟練程度不及是導(dǎo)致三星電子落后于臺(tái)積電的三大原因。